Número do Produto do Fabricante:
TSM6NB60CZ C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM6NB60CZ C0G-DG
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220
Inventário:
12898812
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TSM6NB60CZ C0G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
872 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220
Pacote / Estojo
TO-220-3
Informação Adicional
Outros nomes
TSM6NB60CZ C0G-DG
TSM6NB60CZC0G
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXFP7N80PM
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXFP7N80PM-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.60
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
STP6NK60Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1978
NÚMERO DA PEÇA
STP6NK60Z-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.85
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Similar
NÚMERO DA PEÇA
IRFBC40APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
482
NÚMERO DA PEÇA
IRFBC40APBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.98
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
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